MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 20 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 919-4334
- Referência do fabricante:
- SI7288DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 386,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 9000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,462 € | 1 386,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 919-4334
- Referência do fabricante:
- SI7288DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 15.6W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.99mm | |
| Altura | 1.07mm | |
| Anchura | 5 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 15.6W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.99mm | ||
Altura 1.07mm | ||
Anchura 5 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N doble, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay, Tipo N-Canal SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 19.8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SI4204DY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 19.8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI4925DDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 6.5 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal, VDSS 60 V, ID 3.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado