MOSFET Vishay, N-Canal SI4204DY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 19.8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 180-7285
- Referência do fabricante:
- SI4204DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-7285
- Referência do fabricante:
- SI4204DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.006Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.25W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.65mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.006Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.25W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Longitud 3.05mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.65mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal N doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V. También tiene una resistencia de fuente de drenaje de 4,6mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 19,8A mA. El MOSFET tiene una potencia nominal máxima de 3,25W W. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Convertidor CC/CC
• Telecomunicaciones Fijas
• Ordenador portátil
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado
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