MOSFET Vishay, N-Canal SI4204DY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 19.8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 180-8014
- Referência do fabricante:
- SI4204DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 50 para poupar 21,20 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
14,04 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 17 de junho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* | Poupança |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,808 € | 14,04 € | - |
| 50 - 120 | 2,384 € | 11,92 € | 21,20 € |
| 125 - 245 | 2,104 € | 10,52 € | 88,00 € |
| 250 - 495 | 1,824 € | 9,12 € | 246,00 € |
| 500 + | 1,682 € | 8,41 € | 563,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-8014
- Referência do fabricante:
- SI4204DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.006Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.25W | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Anchura | 1.65mm | |
| Altura | 1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.006Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.25W | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.05mm | ||
Anchura 1.65mm | ||
Altura 1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal N doble de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 20V V. También tiene una resistencia de fuente de drenaje de 4,6mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 19,8A mA. El MOSFET tiene una potencia nominal máxima de 3,25W W. Se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Convertidor CC/CC
• Telecomunicaciones Fijas
• Ordenador portátil
Certificaciones
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado
• UIS probado
Links relacionados
- MOSFET Vishay, N-Canal SI4204DY-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 19.8 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET de potencia Vishay, N-Canal SI7288DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, SO-8, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Vishay, N-Canal SIR882ADP-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 60 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI7139DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, config. Simple
- MOSFET, N-Canal Vishay SiDR392DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIR462DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 19 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIR418DP-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 23 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIRA14DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 58 A, Mejora, SO-8 de 8 pines