MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 11.1 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
919-4227
Referência do fabricante:
SI4056DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOIC

Serie

ThunderFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

5.7W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Altura

1.5mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
TW

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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