MOSFET, N-Canal Vishay SI4190ADY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 18 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
919-4233
Referência do fabricante:
SI4190ADY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOIC

Serie

Si4190ADY

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.2Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

6W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
TW

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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