MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 165-7249
- Referência do fabricante:
- SI4178DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 165-7249
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- SI4178DY-T1-GE3
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | Si4178DY | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tensión directa Vf | 0.85V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.55mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie Si4178DY | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tensión directa Vf 0.85V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.55mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie Si4178DY de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 12 A - SI4178DY-T1-GE3
Se trata de un MOSFET de canal N de montaje en superficie diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia y alta corriente en sistemas electrónicos. Funciona como transistor de modo de mejora y se suministra en un encapsulado SOIC-8 para montaje en PCB. El dispositivo admite conmutación de tensión moderada y es adecuado para diseños que requieren transistores de potencia compactos con características de carga de puerta controladas.
Características y ventajas:
• Tensión de drenaje máxima de 30 V que permite la conmutación de alimentación de baja tensión • Corriente de drenaje continua de 12 A para manejar corrientes de carga altas • Resistencia de drenaje a fuente de 33 mΩ para reducir las pérdidas de conducción • Carga de puerta típica de 7,5 nC para transiciones de conmutación más rápidas • Capacidad de disipación de potencia de 5 W para un rendimiento térmico sostenido • Intervalo de funcionamiento de -55 °C a 150 °C para una amplia tolerancia térmica
Aplicaciones
• Apto para interruptores de distribución de potencia dc en paneles de automatización • Ideal para conmutación de controlador de motor de lado bajo en accionamientos industriales • Se utiliza para conmutación de carga en circuitos de gestión de potencia para sistemas de control • Se puede utilizar para rectificación síncrona en convertidores de potencia compactos • Apto para la protección de baterías y el control de la ruta de alimentación en maquinaria
¿Qué límites de tensión de puerta deben observarse durante el diseño?
La tensión de fuente de puerta no debe superar ±25 V para evitar la tensión de óxido de puerta y garantizar una conmutación fiable.
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en la PCB?
Con un valor nominal de disipación de 5 W, proporciona una superficie de cobre adecuada y vías térmicas para reducir la temperatura de unión durante el funcionamiento continuo de alta corriente.
¿Qué consideraciones sobre el número de contactos y el encapsulado afectan al diseño?
El dispositivo se suministra en un encapsulado SOIC de 8 contactos, por lo que las anchuras de pista y la separación de la almohadilla deben adaptarse al montaje en superficie y a la conducción térmica.
¿Qué característica eléctrica rige la velocidad de conmutación en aplicaciones de impulso?
La carga de puerta típica de 7,5 nC es el parámetro clave que influye en los requisitos de accionamiento y los tiempos de transición de conmutación al seleccionar controladores de puerta.
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