MOSFET, N-Canal Vishay SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- Código RS:
- 165-7249
- Referência do fabricante:
- SI4178DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 165-7249
- Referência do fabricante:
- SI4178DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Serie | Si4178DY | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -25V, +25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 850mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.55mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Serie Si4178DY | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -25V, +25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 850mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.55mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET serie Si4178DY de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 12 A - SI4178DY-T1-GE3
Características y ventajas:
• La corriente continua de 12 A admite el control de cargas de alta corriente
• La Rds(on) de 33 mΩ reduce las pérdidas de conducción en las vías de potencia
• La carga de puerta típica de 7.5 nC permite transiciones de puerta rápidas
• La disipación de potencia de 5 W ayuda a gestionar la carga térmica en encapsulados pequeños
Aplicaciones
• Ideal para la gestión de baterías y la distribución de energía
• Se utiliza con controladores de motor para actuadores compactos
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
¿Qué limitaciones de tensión de puerta deben observar los diseñadores?
¿Cómo influye el rendimiento térmico en las decisiones de diseño de PCB?
¿En qué intervalo de temperatura ambiente puede funcionar?
¿Qué consideraciones sobre el encapsulado y el montaje afectan al montaje?
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