MOSFET, N-Canal Vishay SI4090DY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 20 A, Mejora, SOIC de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
Código RS:
919-4218
Referência do fabricante:
SI4090DY-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOIC

Serie

ThunderFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Disipación de potencia máxima Pd

7.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
TW

MOSFET de canal N, tensión media/ThunderFET®, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.