MOSFET Vishay SI2305CDS-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 4,4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 919-0269
Referência do fabricante:: SI2305CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2305CDS-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 4,4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

55180 Disponível para entrega em 4 dia(s) útil(eis).

Preço unitário (Fornecido em carretes de 3000)

0,102 €

Unidades	Por unidade	Por Carreto*
3000 - 3000	0,102 €	306,00 €
6000 +	0,097 €	291,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 919-0269
Referência do fabricante:: SI2305CDS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	8 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	35 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.4V
Disipación de Potencia Máxima	960 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-8 V, +8 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	1.4mm
Material del transistor	Si
Longitud	3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	12 nC a 4,5 V, 20 nC a 8 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.02mm

MOSFET Vishay SI2305CDS-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 4,4 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor