MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2305CDS-T1-GE3, VDSS 8 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 710-3248
- Referência do fabricante:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
6,46 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- 2360 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Última(s) 47.560 unidade(s) para enviar a partir do dia 25 de maio de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,323 € | 6,46 € |
| 200 - 480 | 0,226 € | 4,52 € |
| 500 - 980 | 0,194 € | 3,88 € |
| 1000 - 1980 | 0,162 € | 3,24 € |
| 2000 + | 0,145 € | 2,90 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 710-3248
- Referência do fabricante:
- SI2305CDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 8V | |
| Serie | Si2305CDS | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 960mW | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 8V | ||
Serie Si2305CDS | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 960mW | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 8 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2319CDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2369DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 7.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2307CDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3.5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay Si2387DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2399DS-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI2347DS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 5 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines