MOSFET, N-Canal onsemi FDMS3572, VDSS 80 V, ID 48 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 917-5469
- Referência do fabricante:
- FDMS3572
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
15,08 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 26 de julho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 3,016 € | 15,08 € |
| 50 - 95 | 2,602 € | 13,01 € |
| 100 + | 2,254 € | 11,27 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 917-5469
- Referência do fabricante:
- FDMS3572
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 48A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | UltraFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 29mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 78W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 28nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Anchura | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 48A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie UltraFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 29mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 78W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 28nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Anchura 6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor
El MOSFET para zanjas UItraFET® combina características que permiten una eficacia de referencia en las aplicaciones de conversión de potencia. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el modo de avalancha y el diodo muestra una carga almacenada y un tiempo de recuperación inversa muy bajos. Optimizado para la eficacia en altas frecuencias, menor RDS(on), ESR baja y carga de compuerta Miller y total bajas.
Aplicaciones en convertidores dc a dc de alta frecuencia, reguladores de conmutación, controladores de motor, interruptores de bus de baja tensión y administración de potencia.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 48 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 12 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 68 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 14 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 76 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 44 A, Mejora, WDFN de 8 pines