MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLZ34NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 915-5112
Número do artigo Distrelec:: 304-44-481
Referência do fabricante:: IRLZ34NSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLZ34NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 915-5112
Número do artigo Distrelec:: 304-44-481
Referência do fabricante:: IRLZ34NSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	60mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	16 V
	Disipación de potencia máxima Pd	68W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Anchura	11.3 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	4.83mm
	Longitud	10.67mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 30A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V
	Disipación de potencia máxima Pd 68W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Anchura 11.3 mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 4.83mm
	Longitud 10.67mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 30 A, disipación de potencia máxima de 68 W - IRLZ34NSTRLPBF

Este MOSFET de canal N de alto rendimiento facilita la conmutación y amplificación eficientes en diversas aplicaciones eléctricas. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de 30 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, se adapta a aplicaciones de automoción, industriales y de electrónica de consumo. Su diseño de montaje en superficie simplifica la integración en las modernas placas de circuitos, lo que lo convierte en un componente clave para una gestión eficaz de la energía.

Características y ventajas

• Baja tensión de umbral de puerta para mejorar la velocidad de conmutación

• RDS(on) bajo para una disipación eficiente de la energía

• La alta resistencia térmica permite el funcionamiento a temperaturas elevadas

• La disipación de potencia máxima de 68 W contribuye a la durabilidad

• La tecnología de montaje en superficie permite diseños compactos

• Accionamiento eficiente con alta capacidad de carga de puerta a 5 V

Aplicaciones

• Circuitos de alimentación para una regulación eficaz de la tensión

• Control del motor que requieren un cambio rápido

• Convertidores CC-CC para mejorar la eficiencia

• Instrumentación de precisión para un rendimiento fiable

• Automoción con altas exigencias de fiabilidad

¿Cuál es la corriente continua máxima que puede soportar este componente?

El dispositivo puede manejar una corriente de drenaje continua máxima de 30 A.

¿Cómo gestiona el rendimiento térmico este MOSFET?

Funciona a una temperatura máxima de +175 °C, lo que garantiza su fiabilidad en entornos de altas temperaturas.

¿Puede utilizarse en aplicaciones de automoción?

Sí, su construcción robusta y su tolerancia a las altas temperaturas lo hacen adecuado para diversos circuitos de automoción.

¿Qué tipo de configuraciones de circuito admite?

El MOSFET admite configuraciones de transistor en modo de mejora, ideales para aplicaciones de conmutación.

¿Es compatible con los diseños de circuitos de montaje superficial?

Sí, el tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) permite una fácil integración en aplicaciones de montaje en superficie y facilita la colocación sencilla en placas de circuitos.