MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 94 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 165-8196
Referência do fabricante:: IRF1010ZSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 94 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 165-8196
Referência do fabricante:: IRF1010ZSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	94A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	55V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	7.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	63nC
	Disipación de potencia máxima Pd	140W
	Tensión directa Vf	-1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	4.83mm
	Longitud	10.67mm
	Anchura	11.3 mm
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 94A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC
	Disipación de potencia máxima Pd 140W
	Tensión directa Vf -1.3V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Altura 4.83mm
	Longitud 10.67mm
	Anchura 11.3 mm
	Estándar de automoción AEC-Q101

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 94 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRF1010ZSTRLPBF

Este MOSFET de montaje superficial ofrece un rendimiento excepcional en diversas aplicaciones. Creado por Infineon, aprovecha las técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una baja resistencia a la conexión y una alta capacidad de manejo de corriente. Su eficacia en entornos de altas temperaturas lo convierte en un componente importante para los profesionales de los sectores de la automatización, la electrónica, la electricidad y la mecánica.

Características y ventajas

• La elevada corriente de drenaje continua de 94 A admite aplicaciones con cargas considerables

• El bajo RDS(on) de 7,5mΩ minimiza las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V para mayor flexibilidad de diseño

• Alta fiabilidad con una temperatura máxima de funcionamiento de 175°C

• La capacidad de conmutación rápida reduce los retrasos en la respuesta del circuito

• La configuración de canal N es adecuada para diseños electrónicos avanzados

Aplicaciones

• Utilizados en sistemas de gestión y conversión de energía

• Empleado en circuitos de control de motores para tecnologías de automatización

• Adecuado para diseños de fuentes de alimentación que exigen una alta eficiencia

• Integral en la electrónica de potencia del vehículo eléctrico

• Se utiliza en sistemas de energías renovables para una conversión eficaz de la energía

¿Qué implicaciones tiene la característica de baja resistencia a la conexión?

La baja resistencia a la conexión de 7,5mΩ garantiza una mínima generación de calor durante el funcionamiento, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor necesidad de refrigeración.

¿Cómo se comporta este MOSFET en entornos de alta temperatura?

Soporta temperaturas máximas de funcionamiento de hasta 175 °C, lo que la hace adecuada para condiciones duras sin comprometer el rendimiento.

¿Qué tipo de montaje requiere este componente?

Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, lo que permite un diseño compacto y una gestión térmica eficaz en placas de circuitos impresos.

¿Puede gestionar eficazmente las corrientes pulsadas?

Sí, cuenta con una corriente de drenaje pulsada nominal de 360 A, lo que le permite gestionar eficazmente las condiciones transitorias.

¿Qué características debo tener en cuenta para la compatibilidad de circuitos?

Asegúrese de que la tensión umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V para garantizar un comportamiento de conmutación adecuado en el diseño del circuito.