MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 94 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 165-8196
- Referência do fabricante:
- IRF1010ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 800 unidades)*
711,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,889 € | 711,20 € |
| 1600 + | 0,844 € | 675,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-8196
- Referência do fabricante:
- IRF1010ZSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 94A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 63nC | |
| Tensión directa Vf | -1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Anchura | 11.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 94A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 63nC | ||
Tensión directa Vf -1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Anchura 11.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 94 A, disipación de potencia máxima de 140 W - IRF1010ZSTRLPBF
Este MOSFET de montaje superficial ofrece un rendimiento excepcional en diversas aplicaciones. Creado por Infineon, aprovecha las técnicas de procesamiento avanzadas para ofrecer una baja resistencia a la conexión y una alta capacidad de manejo de corriente. Su eficacia en entornos de altas temperaturas lo convierte en un componente importante para los profesionales de los sectores de la automatización, la electrónica, la electricidad y la mecánica.
Características y ventajas
• La elevada corriente de drenaje continua de 94 A admite aplicaciones con cargas considerables
• El bajo RDS(on) de 7,5mΩ minimiza las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V para mayor flexibilidad de diseño
• Alta fiabilidad con una temperatura máxima de funcionamiento de 175°C
• La capacidad de conmutación rápida reduce los retrasos en la respuesta del circuito
• La configuración de canal N es adecuada para diseños electrónicos avanzados
Aplicaciones
• Utilizados en sistemas de gestión y conversión de energía
• Empleado en circuitos de control de motores para tecnologías de automatización
• Adecuado para diseños de fuentes de alimentación que exigen una alta eficiencia
• Integral en la electrónica de potencia del vehículo eléctrico
• Se utiliza en sistemas de energías renovables para una conversión eficaz de la energía
¿Qué implicaciones tiene la característica de baja resistencia a la conexión?
La baja resistencia a la conexión de 7,5mΩ garantiza una mínima generación de calor durante el funcionamiento, lo que se traduce en una mayor eficiencia y una menor necesidad de refrigeración.
¿Cómo se comporta este MOSFET en entornos de alta temperatura?
Soporta temperaturas máximas de funcionamiento de hasta 175 °C, lo que la hace adecuada para condiciones duras sin comprometer el rendimiento.
¿Qué tipo de montaje requiere este componente?
Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, lo que permite un diseño compacto y una gestión térmica eficaz en placas de circuitos impresos.
¿Puede gestionar eficazmente las corrientes pulsadas?
Sí, cuenta con una corriente de drenaje pulsada nominal de 360 A, lo que le permite gestionar eficazmente las condiciones transitorias.
¿Qué características debo tener en cuenta para la compatibilidad de circuitos?
Asegúrese de que la tensión umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V para garantizar un comportamiento de conmutación adecuado en el diseño del circuito.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF1010ZSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 94 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 94 A, N, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 110 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 70 A, Mejora, TO-263 de 3 pines