MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 145-8936
- Referência do fabricante:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 145-8936
- Referência do fabricante:
- IRLZ34NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 60mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 60mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.67mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 30 A, disipación de potencia máxima de 68 W - IRLZ34NSTRLPBF
Este MOSFET de canal N de alto rendimiento facilita la conmutación y amplificación eficientes en diversas aplicaciones eléctricas. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de 30 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, se adapta a aplicaciones de automoción, industriales y de electrónica de consumo. Su diseño de montaje en superficie simplifica la integración en las modernas placas de circuitos, lo que lo convierte en un componente clave para una gestión eficaz de la energía.
Características y ventajas
• Baja tensión de umbral de puerta para mejorar la velocidad de conmutación
• RDS(on) bajo para una disipación eficiente de la energía
• La alta resistencia térmica permite el funcionamiento a temperaturas elevadas
• La disipación de potencia máxima de 68 W contribuye a la durabilidad
• La tecnología de montaje en superficie permite diseños compactos
• Accionamiento eficiente con alta capacidad de carga de puerta a 5 V
Aplicaciones
• Circuitos de alimentación para una regulación eficaz de la tensión
• Control del motor que requieren un cambio rápido
• Convertidores CC-CC para mejorar la eficiencia
• Instrumentación de precisión para un rendimiento fiable
• Automoción con altas exigencias de fiabilidad
¿Cuál es la corriente continua máxima que puede soportar este componente?
El dispositivo puede manejar una corriente de drenaje continua máxima de 30 A.
¿Cómo gestiona el rendimiento térmico este MOSFET?
Funciona a una temperatura máxima de +175 °C, lo que garantiza su fiabilidad en entornos de altas temperaturas.
¿Puede utilizarse en aplicaciones de automoción?
Sí, su construcción robusta y su tolerancia a las altas temperaturas lo hacen adecuado para diversos circuitos de automoción.
¿Qué tipo de configuraciones de circuito admite?
El MOSFET admite configuraciones de transistor en modo de mejora, ideales para aplicaciones de conmutación.
¿Es compatible con los diseños de circuitos de montaje superficial?
Sí, el tipo de encapsulado D2PAK (TO-263) permite una fácil integración en aplicaciones de montaje en superficie y facilita la colocación sencilla en placas de circuitos.
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