MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

Código RS:: 913-4060
Referência do fabricante:: IRLML9301TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

231,00 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €

Em stock

54.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
3000 - 3000	0,077 €	231,00 €
6000 - 6000	0,073 €	219,00 €
9000 +	0,068 €	204,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 913-4060
Referência do fabricante:: IRLML9301TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	3.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOT-23
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	64mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	1.3W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	-1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	1.4 mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	3.04mm
	Altura	1.02mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 3.6A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOT-23
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 64mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 1.3W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf -1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.8nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 1.4 mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 3.04mm
	Altura 1.02mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A - IRLML9301TRPBF

Este semiconductor MOSFET está diseñado para la gestión eficiente de la energía en diversas aplicaciones electrónicas. Presenta un diseño de montaje en superficie (SOT-23) para facilitar su integración en circuitos electrónicos compactos. El componente funciona eficazmente con una corriente de drenaje continua máxima de 3,6 A y puede manejar una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V.

Características y ventajas

• La configuración del modo de mejora permite un funcionamiento eficaz

• El alto umbral de tensión de puerta aumenta la fiabilidad

• Mayor resistencia térmica

• Optimizado para valores nominales de corriente de drenaje de tracción, lo que aumenta la fiabilidad del rendimiento

Aplicaciones

• Se utiliza para la gestión de la energía en aparatos portátiles

• Ideal para sistemas de control de automatización

• Utilizado en amplificadores de audio y procesadores de señal

• Adecuado para convertidores CC-CC en sistemas de energías renovables

• Ideal para accionar motores en robots

¿Cuál es el impacto del bajo valor de la resistencia a la conexión en el rendimiento?

La baja resistencia a la conexión de 64mΩ permite reducir la generación de calor durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia general y prolongando la vida útil de los componentes en aplicaciones de alta corriente.

¿Cómo beneficia el modo de mejora al diseño de circuitos?

El modo de mejora permite al MOSFET permanecer apagado hasta que se alcanza una tensión de puerta específica, lo que proporciona un control de conmutación fiable adecuado para diversos diseños electrónicos sin pérdidas de potencia innecesarias.

¿Puede este componente soportar altas temperaturas?

Sí, está diseñado para funcionar de forma fiable a temperaturas de hasta +150 °C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones expuestas a entornos difíciles o a un uso intensivo.