MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, TDSON de 8 pines

Código RS:: 911-4858
Referência do fabricante:: BSC093N04LSGATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 49 A, Mejora, TDSON de 8 pines

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Código RS:: 911-4858
Referência do fabricante:: BSC093N04LSGATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	49A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	OptiMOS 3
	Encapsulado	TDSON
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	13.7mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	8.6nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	5.35 mm
	Longitud	6.35mm
	Altura	1.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 49A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie OptiMOS 3
	Encapsulado TDSON
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.7mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.6nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 5.35 mm
	Longitud 6.35mm
	Altura 1.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: MY

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 49 A, disipación de potencia máxima de 2,5 W - BSC093N04LSGATMA1

Este MOSFET está diseñado para una gestión y control eficientes de la potencia, desempeñando un papel importante en aplicaciones de automatización y eléctricas que requieren un alto rendimiento. Su integración mejora la eficiencia de los circuitos y contribuye a la fiabilidad y capacidad de respuesta del sistema en diversos entornos.

Características y ventajas

• Proporciona una corriente de drenaje continua máxima de 49 A

• Funciona eficazmente en un rango de tensión de 40 V

• La baja resistencia de drenaje-fuente mejora el rendimiento

• Admite el diseño de montaje en superficie para facilitar la integración

• Alta estabilidad térmica con una temperatura máxima de +150°C

• Adecuado para diversas aplicaciones gracias a un amplio rango de tensión umbral de puerta

Aplicaciones

• Ideal para potencia en automatización y robótica

• Utilizado en sistemas de recarga de vehículos eléctricos

• Adecuado para tareas de alimentación y conversión

• Aplicación en circuitos de control de motores y accionamientos

• Se utiliza en telecomunicaciones para una gestión eficaz de las señales

¿Qué tipo de carga puede soportar eficazmente este aparato?

Puede gestionar cargas de hasta 49 A, lo que la hace adecuada para aplicaciones de alta corriente en diversos sectores.

¿Es compatible con la tecnología de montaje en superficie?

Sí, cuenta con un diseño de montaje en superficie que facilita la instalación directa en placas de circuito impreso.

¿Cuáles son las limitaciones de tensión de puerta de este componente?

El dispositivo tiene límites de voltaje de fuente de puerta de -20 V a +20 V, lo que permite flexibilidad en el diseño de circuitos.

¿Puede funcionar en condiciones de temperatura extremas?

Sí, funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su funcionalidad en entornos adversos.

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Canal N, nivel lógico

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

RDS(on) de muy baja resistencia

Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.