MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 288 A, Mejora, TDSON de 8 pines
- Código RS:
- 233-4392
- Referência do fabricante:
- ISC011N06LM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 233-4392
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- ISC011N06LM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 288A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | ISC | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.15mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.89kW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.2mm | |
| Altura | 5.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 288A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie ISC | ||
Encapsulado TDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.15mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.89kW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.2mm | ||
Altura 5.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie ISC de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 288 A - ISC011N06LM5ATMA1
Este MOSFET es un transistor de conmutación de potencia diseñado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango térmico y es adecuado para sistemas electrónicos exigentes que requieren un dispositivo de mejora de canal N con una robusta capacidad de drenaje a fuente y tolerancia de tensión de puerta.
Características y ventajas:
• La resistencia al drenaje de 60 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La corriente continua de 288 A admite conducción de cargas pesadas
• La Rds(on) de 1.15 mΩ minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 1,89 kW permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta de 170 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• El valor nominal de puerta de 20 V permite un amplio margen de accionamiento de puerta
• La corriente continua de 288 A admite conducción de cargas pesadas
• La Rds(on) de 1.15 mΩ minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 1,89 kW permite un manejo de alta potencia
• La carga de puerta de 170 nC permite una dinámica de conmutación controlada
• El valor nominal de puerta de 20 V permite un amplio margen de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores de alta corriente y fuentes de alimentación
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren una gran capacidad de conducción
• Ideal para etapas dc-dc en sistemas de alta potencia
• Puede utilizarse para servidores y módulos de alimentación de telecomunicaciones
• Adecuado para etapas de potencia de montaje en superficie en placas compactas
• Se utiliza con accionamientos de motor que requieren una gran capacidad de conducción
• Ideal para etapas dc-dc en sistemas de alta potencia
• Puede utilizarse para servidores y módulos de alimentación de telecomunicaciones
• Adecuado para etapas de potencia de montaje en superficie en placas compactas
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar con fiabilidad?
Funciona desde -55 °C hasta 175 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos extremos.
¿Qué estilo de montaje se recomienda para el montaje de placas?
Se suministra en un encapsulado TDSON diseñado para montaje en superficie en PCB.
¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para las conexiones?
El dispositivo utiliza una configuración de 8 contactos para alojar terminaciones de puerta, drenaje y fuente.
¿Qué tipo y modo de canal determinan su comportamiento de conducción?
Se trata de un dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora para conmutación MOS estándar.
¿Qué huella física deben permitir los diseñadores en la PCB?
El encapsulado mide 6,1 x 5,35 x 1,2 mm y debe disponer de un área de aterrizaje de soldadura adecuada.
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