MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1, VDSS 40 V, ID 49 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 752-8164
Referência do fabricante:: BSC093N04LSGATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1, VDSS 40 V, ID 49 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:: 752-8164
Referência do fabricante:: BSC093N04LSGATMA1
Fabricante:: Infineon

BSC093N04LS G, OptiMOS3 Power-MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	49 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	TDSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	13,7 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	5.35mm
Longitud	6.35mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8,6 nC a 4,5 V
Material del transistor	Si
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon BSC093N04LSGATMA1, VDSS 40 V, ID 49 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V