MOSFET Infineon, N-Canal BSC026N02KSGAUMA1, VDSS 20 V, ID 100 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple

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Código RS:
911-4846
Referência do fabricante:
BSC026N02KSGAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Encapsulado

TDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-12V, +12V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

40nC

Disipación de potencia máxima Pd

2.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Simple

Anchura

5.35mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Longitud

6.35mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
DE

Familia de MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM2


OptiMOSTM2OptiMOS 2

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa cartera de dispositivos MOSFET que incluye las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Proporcionan el mejor rendimiento de su clase para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Los diseños que requieren características de protección mejoradas y de alta calidad se benefician de los MOSFET con certificación de automoción de los estándares industriales AEC-Q101.

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