MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N06S2L35AATMA1, VDSS 55 V, ID 20 A, TDSON, Mejora de 8 pines, config. Doble

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

6,61 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 24.865 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 451,322 €6,61 €
50 - 1201,192 €5,96 €
125 - 2451,112 €5,56 €
250 - 4951,032 €5,16 €
500 +0,86 €4,30 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
258-3877
Referência do fabricante:
IPG20N06S2L35AATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TDSON

Serie

OptiMOS

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Disipación de potencia máxima Pd

65W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS de Infineon es un Super S08 doble que puede reemplazar varios DPAK para un ahorro significativo de área de PCB y reducción de costes a nivel de sistema. Conexión de bastidor de cable de fuente más grande para unir cables y el mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz.

Nivel lógico de canal N doble - Modo de mejora

Certificación AEC Q101

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Links relacionados