MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF7749L1TRPBF, VDSS 60 V, ID 375 A, Mejora, DirectFET de 15 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 4 unidades)*

11,82 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio de 6832 unidade(s) a partir do dia 21 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
4 - 162,955 €11,82 €
20 - 362,808 €11,23 €
40 - 962,748 €10,99 €
100 - 1962,57 €10,28 €
200 +2,393 €9,57 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
907-5205
Referência do fabricante:
IRF7749L1TRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

375A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DirectFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

15

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

200nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

9.15mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.49mm

Anchura

7.1 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon


El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.

La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas

Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.

La refrigeración de doble cara altamente eficaz mejora significativamente las densidad de potencia, el coste y la fiabilidad

Perfil bajo de sólo 0,7 mm

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Links relacionados