MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB083N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
897-7361
Referência do fabricante:
IPB083N10N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.31mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.45 mm

Altura

4.57mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


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