MOSFET Infineon IPB083N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-8268
Referência do fabricante:: IPB083N10N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB083N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 165-8268
Referência do fabricante:: IPB083N10N3GATMA1
Fabricante:: Infineon

IPP086N10N3 G, IPI086N10N3 G, IPB083N10N3 G, IPD082N10N3 G, OptiMOS3 Power MOSFET Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	15,1 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	125 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	42 nC a 10 V
Longitud	10.31mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	9.45mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	4.57mm
Tensión de diodo directa	1.2V

MOSFET Infineon IPB083N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior