MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STP18N65M2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 876-5691
- Referência do fabricante:
- STP18N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
11,64 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
A ser descontinuado
- Última(s) 70 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,328 € | 11,64 € |
| 25 - 45 | 2,216 € | 11,08 € |
| 50 - 120 | 1,992 € | 9,96 € |
| 125 - 245 | 1,788 € | 8,94 € |
| 250 + | 1,704 € | 8,52 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 876-5691
- Referência do fabricante:
- STP18N65M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -25/25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 15.75mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -25/25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 15.75mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Serie MDmeshTM M2 de canal N, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelecronics. Con su carga de puerta baja y excelentes características de capacitancia de salida, la serie MDmesh M2 es perfecta para usar en fuentes de alimentación de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STP18N65M2, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- MOSFET Infineon IPP60R099CPXKSA1, VDSS 650 V, ID 31 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
- MOSFET Infineon IPP60R250CPXKSA1, VDSS 650 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STP80NF06, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
- MOSFET STMicroelectronics STP12NK80Z, VDSS 800 V, ID 10.5 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 65 V, B4E, Mejora de 4 pines, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 90 V, LBB, Mejora de 5 pines, config. Simple
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics RF2L16180CB4, VDSS 65 V, B4E, Mejora de 4 pines, config. Simple