MOSFET STMicroelectronics STB6N60M2, VDSS 650 V, ID 4,5 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-6980
Referência do fabricante:: STB6N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STB6N60M2, VDSS 650 V, ID 4,5 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 168-6980
Referência do fabricante:: STB6N60M2
Fabricante:: STMicroelectronics

STB6N60M2, STD6N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh M2
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,2 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	60 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	8 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	10.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	9.35mm

MOSFET STMicroelectronics STB6N60M2, VDSS 650 V, ID 4,5 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics