MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STB6N60M2, VDSS 650 V, ID 4.5 A, TO-263, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 168-6980
- Referência do fabricante:
- STB6N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 168-6980
- Referência do fabricante:
- STB6N60M2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 4.5 A | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 9.35 mm | |
| Longitud | 10.4 mm | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 1.2 Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V, -25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150 °C | |
| Disipación de potencia máxima (Pd) | 60 W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | MDmesh M2 | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 4.5 A | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 9.35 mm | ||
Longitud 10.4 mm | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 1.2 Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V, -25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C | ||
Disipación de potencia máxima (Pd) 60 W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie MDmesh M2 | ||
Anchura 4.6 mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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