STMicroelectronics, Tipo N, Tipo N-Canal STP26N65DM2, VDSS 650 V, ID 25 A, TO-220, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 192-4662
- Referência do fabricante:
- STP26N65DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 192-4662
- Referência do fabricante:
- STP26N65DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie, Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 160W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Altura | 15.75mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 160W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares FCC Part 68, RoHS, TIA-1096-A | ||
Anchura 4.6mm | ||
Altura 15.75mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmeshTM DM2. Ofrece una carga de recuperación (Qrr) y un tiempo (trr) muy bajos combinados con un bajo RDS(on), lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de desplazamiento de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Carga de puerta y capacitancia de entrada extremadamente bajas
Baja resistencia de conexión
Robustez dv/dt muy alta
Protegido por Zener
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