MOSFET, N-Canal onsemi FCPF190N60, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 864-7913
- Referência do fabricante:
- FCPF190N60
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
9,05 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Últimas unidades em stock
- 2 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
- Última(s) 856 unidade(s) para enviar a partir do dia 18 de novembro de 2026
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 + | 4,525 € | 9,05 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 864-7913
- Referência do fabricante:
- FCPF190N60
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | SuperFET II | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 170mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 57nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.07mm | |
| Longitud | 10.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie SuperFET II | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 170mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 57nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.07mm | ||
Longitud 10.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N SuperFET® y SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild ha añadido la familia MOSFET SuperFET® II de potencia de alta tensión mediante la tecnología Super Junction Proporciona el mejor rendimiento de su clase del diodo del cuerpo sólido en fuentes de alimentación ac-dc de modo conmutado (SMPS), aplicaciones como servidores, telecomunicaciones, informática, fuente de alimentación industrial, UPS/ESS, inversor solar, aplicaciones de iluminación que requieren una densidad de alta potencia, eficacia del sistema y fiabilidad.
Mediante el uso de una tecnología de equilibrio de carga avanzada, los diseñadores han logrado soluciones de alto rendimiento más eficaces y rentables que ocupan menos espacio en la placa y mejoran la fiabilidad.
Transistores MOSFET, ON Semi
On Semi ofrece una cartera sustancial de dispositivos MOSFET que incluye>< tipos de alta tensión ( 250 V) y baja tensión ( 250 V). La avanzada tecnología de silicio proporciona tamaños de terraja más pequeños, que se integran en varios encapsulados estándar del sector y están térmicamente mejorados.
En los SemiMOSFETs proporciona una fiabilidad de diseño superior, desde picos de tensión reducidos y sobredisparo, hasta menor capacitancia de unión y carga de recuperación inversa, hasta la eliminación de componentes externos adicionales para mantener los sistemas en funcionamiento y en funcionamiento durante más tiempo.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 600 V, ID 37 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 600 V, ID 20.6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi FCP190N60E, VDSS 600 V, ID 20.6 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi FCP104N60F, VDSS 600 V, ID 37 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 650 V, ID 44 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 500 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 900 V, ID 8 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 128 A, Mejora, TO-220 de 3 pines