MOSFET, N-Canal Infineon IRF520NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 831-2821
- Referência do fabricante:
- IRF520NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 831-2821
- Referência do fabricante:
- IRF520NSTRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.65mm | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,7 A, disipación de potencia máxima de 48 W - IRF520NSTRLPBF
Este MOSFET está diseñado para una conmutación y amplificación eficientes en diversas aplicaciones. Su gran capacidad de manejo de potencia ofrece versatilidad en los campos de la automatización y la electrónica. Con una avanzada tecnología de procesos, este dispositivo garantiza el rendimiento y la fiabilidad, lo que lo hace adecuado para entornos operativos. Las características de este MOSFET mejoran notablemente el rendimiento del circuito.
Características y ventajas
• La baja resistencia a la conexión contribuye a mejorar la eficiencia energética
• Corriente de drenaje de 9,7 A para un rendimiento sólido
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V proporciona flexibilidad de aplicación
• El modo de mejora permite una conmutación eficaz
• El diseño de montaje en superficie permite diseños de PCB compactos
Aplicaciones
• Empleado en sistemas de gestión de potencia para la conversión de energía
• Adecuado para controles de automatización que requieren una conmutación rápida
• Aplicado en circuitos de control de motores de precisión
• Utilizados en sistemas de energía renovable como los inversores solares
• Se utiliza en amplificadores de audio para mejorar la calidad del sonido
¿Qué tipo de montaje es adecuado para este dispositivo?
Este componente presenta un diseño de montaje en superficie, lo que lo hace compatible con los procesos automatizados de montaje de placas de circuito impreso e ideal para diseños de alta densidad.
¿Puede soportar altas temperaturas durante su funcionamiento?
Sí, tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, lo que lo hace apto para entornos difíciles sin comprometer su rendimiento.
¿Es adecuado para aplicaciones que requieren una conmutación rápida?
Sí, su rápida velocidad de conmutación mejora el rendimiento en aplicaciones como convertidores PWM y CC-CC.
¿Cuál es la característica de inductancia de este dispositivo?
La inductancia de drenaje interna suele ser de 4,5nH, lo que contribuye a su funcionamiento sensible.
¿Cómo se gestiona la disipación de potencia en este MOSFET?
Permite una disipación de potencia máxima de 48 W, lo que garantiza la estabilidad térmica y un rendimiento eficaz en diversos circuitos.
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