MOSFET, N-Canal Infineon IRF520NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 831-2821
Referência do fabricante:: IRF520NSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon IRF520NSTRLPBF, VDSS 100 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 831-2821
Referência do fabricante:: IRF520NSTRLPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	9.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	200mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Disipación de potencia máxima Pd	48W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Longitud	10.67mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	9.65mm
	Altura	4.83mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 9.7A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Disipación de potencia máxima Pd 48W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Longitud 10.67mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 9.65mm
	Altura 4.83mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,7 A, disipación de potencia máxima de 48 W - IRF520NSTRLPBF

Este MOSFET está diseñado para una conmutación y amplificación eficientes en diversas aplicaciones. Su gran capacidad de manejo de potencia ofrece versatilidad en los campos de la automatización y la electrónica. Con una avanzada tecnología de procesos, este dispositivo garantiza el rendimiento y la fiabilidad, lo que lo hace adecuado para entornos operativos. Las características de este MOSFET mejoran notablemente el rendimiento del circuito.

Características y ventajas

• La baja resistencia a la conexión contribuye a mejorar la eficiencia energética

• Corriente de drenaje de 9,7 A para un rendimiento sólido

• La tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V proporciona flexibilidad de aplicación

• El modo de mejora permite una conmutación eficaz

• El diseño de montaje en superficie permite diseños de PCB compactos

Aplicaciones

• Empleado en sistemas de gestión de potencia para la conversión de energía

• Adecuado para controles de automatización que requieren una conmutación rápida

• Aplicado en circuitos de control de motores de precisión

• Utilizados en sistemas de energía renovable como los inversores solares

• Se utiliza en amplificadores de audio para mejorar la calidad del sonido

¿Qué tipo de montaje es adecuado para este dispositivo?

Este componente presenta un diseño de montaje en superficie, lo que lo hace compatible con los procesos automatizados de montaje de placas de circuito impreso e ideal para diseños de alta densidad.

¿Puede soportar altas temperaturas durante su funcionamiento?

Sí, tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, lo que lo hace apto para entornos difíciles sin comprometer su rendimiento.

¿Es adecuado para aplicaciones que requieren una conmutación rápida?

Sí, su rápida velocidad de conmutación mejora el rendimiento en aplicaciones como convertidores PWM y CC-CC.

¿Cuál es la característica de inductancia de este dispositivo?

La inductancia de drenaje interna suele ser de 4,5nH, lo que contribuye a su funcionamiento sensible.

¿Cómo se gestiona la disipación de potencia en este MOSFET?

Permite una disipación de potencia máxima de 48 W, lo que garantiza la estabilidad térmica y un rendimiento eficaz en diversos circuitos.