MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 919-4876
- Referência do fabricante:
- IRF520NPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 919-4876
- Referência do fabricante:
- IRF520NPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 48W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.54mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.69 mm | |
| Altura | 8.77mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 48W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.54mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.69 mm | ||
Altura 8.77mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 9,7 A, disipación de potencia máxima de 48 W - IRF520NPBF
Este MOSFET utiliza la avanzada tecnología HEXFET para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de 9,7 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V, es un componente adecuado para circuitos electrónicos. Su diseño en modo de mejora garantiza un funcionamiento eficaz en diversos entornos, lo que lo convierte en una opción práctica para los profesionales de los campos de la automatización y la electrónica.
Características y ventajas
• La alta capacidad de corriente de 9,7 A mejora el rendimiento
• Su diseño robusto garantiza la funcionalidad en condiciones extremas
• La baja resistencia a la conexión de 200mΩ minimiza la pérdida de potencia
• La capacidad de conmutación rápida mejora la eficacia
• Compatible con el encapsulado TO-220AB para una instalación sencilla
Aplicaciones
• Gestión de la energía en los sistemas de automatización
• Resistencia conmutada en circuitos eléctricos
• Circuitos de accionamiento del motor para mejorar la eficiencia
• Alta frecuencia en electrónica
¿Cómo influye la baja resistencia a la conexión en el rendimiento?
La baja resistencia a la conexión reduce la generación de calor y mejora la eficiencia, lo que se traduce en un mejor rendimiento general en aplicaciones de potencia al minimizar las pérdidas de energía.
¿Qué importancia tiene el intervalo de temperaturas?
La amplia gama de temperaturas de funcionamiento garantiza un rendimiento constante en diversos entornos, adaptándose eficazmente a aplicaciones de alta y baja temperatura.
¿Puede este componente soportar pulsos cortos de corriente más alta?
Sí, puede gestionar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 38 A, lo que lo hace adecuado para condiciones transitorias en circuitos electrónicos.
¿Qué debo tener en cuenta al instalarlo?
Asegúrese de que el disipador térmico es adecuado, tal y como se especifica en la hoja de datos, para gestionar eficazmente la disipación de calor durante el funcionamiento, especialmente en condiciones de carga elevada.
¿Cómo se comporta el dispositivo en condiciones de conmutación rápida?
Su rápida velocidad de conmutación permite un funcionamiento eficaz en aplicaciones que requieren tiempos de respuesta rápidos, lo que lo convierte en una opción versátil para los diseños electrónicos modernos.
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