MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK20J60W,S1VQ(O, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-3P de 3 pines
- Código RS:
- 827-6163
- Referência do fabricante:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Fabricante:
- Toshiba
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
10,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 256 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 + | 5,35 € | 10,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 827-6163
- Referência do fabricante:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-3P | |
| Serie | TK | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 155mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 165W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 48nC | |
| Tensión directa Vf | -1.7V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.5mm | |
| Anchura | 4.5 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-3P | ||
Serie TK | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 155mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 165W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 48nC | ||
Tensión directa Vf -1.7V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.5mm | ||
Anchura 4.5 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- JP
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
Transistores MOSFET, Toshiba
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-3P de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 30.8 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30.8 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 31 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines