MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 40 V, ID 65 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 171-2428
- Referência do fabricante:
- TK65S04N1L
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 171-2428
- Referência do fabricante:
- TK65S04N1L
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 65A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 107W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.3mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 65A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 107W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.3mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- JP
Aplicaciones
Automoción
Controladores para motor
Reguladores de tensión de conmutación
Características
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 3,3 mΩ (típ)
Baja corriente de fugas: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 40 V)
Modo de mejora: Vth = 1,5 a 2,5 V (VDS = 10 V, ID = 0,3 mA)
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