MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSP322PH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 826-9279
- Referência do fabricante:
- BSP322PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 50 unidades)*
39,05 €
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,781 € | 39,05 € |
| 100 - 200 | 0,601 € | 30,05 € |
| 250 - 450 | 0,562 € | 28,10 € |
| 500 - 1200 | 0,523 € | 26,15 € |
| 1250 + | 0,484 € | 24,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 826-9279
- Referência do fabricante:
- BSP322PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 840mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.5mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 840mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.5mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie SIPMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP322PH6327XTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal P diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en entornos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para tareas de conmutación de canal P de alta tensión en las que se requiere una forma de encapsulado compacta y una robustez de grado automovilístico.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 100 V permite una capacidad de conmutación de alta tensión
• La Rds(on) de 800 mΩ minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La corriente de drenaje continua de 1 A admite corrientes de baja a moderadas
• La disipación máxima de 1,8 W permite un manejo de potencia estable
• La carga de puerta típica de 12,4 nC proporciona demandas de accionamiento de puerta predecibles
• La tensión de fuente de puerta máxima de 20 V mantiene un margen de accionamiento seguro
• La Rds(on) de 800 mΩ minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La corriente de drenaje continua de 1 A admite corrientes de baja a moderadas
• La disipación máxima de 1,8 W permite un manejo de potencia estable
• La carga de puerta típica de 12,4 nC proporciona demandas de accionamiento de puerta predecibles
• La tensión de fuente de puerta máxima de 20 V mantiene un margen de accionamiento seguro
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de carga en módulos electrónicos de automoción
• Ideal para circuitos de protección de polaridad de alta tensión
• Se utiliza para la gestión de energía en sistemas alimentados por batería
• Puede utilizarse para la prevención de corriente inversa en carriles de DC
• Apto para etapas compactas de conversión de potencia de montaje en superficie
• Ideal para circuitos de protección de polaridad de alta tensión
• Se utiliza para la gestión de energía en sistemas alimentados por batería
• Puede utilizarse para la prevención de corriente inversa en carriles de DC
• Apto para etapas compactas de conversión de potencia de montaje en superficie
¿Qué rango de temperatura puede tolerar en el campo?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que lo convierte en adecuado para entornos térmicos hostiles.
¿Cuántos contactos y estilo de montaje deben esperar los diseñadores?
El dispositivo tiene cuatro contactos y está diseñado para montaje en superficie en un tamaño SOT-223.
¿Qué característica eléctrica determina los requisitos de velocidad de conmutación?
La carga de puerta de 12,4 nC indica la carga necesaria en la puerta e informa la selección de controladores de puerta y la temporización de accionamiento.
¿Cuáles son las dimensiones de la cubierta mecánica importantes para la planificación del diseño?
El componente mide 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, lo que ayuda a tener en cuenta el tamaño y la separación.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.17 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines