MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0565
- Referência do fabricante:
- ISP25DP06LMSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 250-0565
- Referência do fabricante:
- ISP25DP06LMSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -2.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -2.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los MOSFET de señal pequeña de canal P OptiMOS™ de Infineon de 60 V en encapsulado SOT-223 son la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de consumo. La principal ventaja de un dispositivo de señal pequeña de canal P es la reducción de la complejidad de diseño en aplicaciones de potencia media y baja.
Interfaz sencilla a MCU
Conmutación rápida
Resistencia a la avalancha
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