MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 911-4791
- Referência do fabricante:
- BSP171PH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 300mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 300mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 1,9 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP171PH6327XTSA1
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento, utilizando la tecnología de canal P. Con tecnología SIPMOS®, garantiza un funcionamiento fiable en un encapsulado compacto SOT-223, lo que lo convierte en una opción adecuada para aplicaciones industriales y de automoción. La corriente de drenaje continua nominal de 1,9 A y una tensión máxima de 60 V aumentan su eficacia en la gestión eficiente de la energía en diversos usos.
Características y ventajas
• La configuración de canal P admite aplicaciones de conmutación de lado bajo
• El funcionamiento en modo de mejora favorece un rendimiento eficiente
• El diseño de montaje en superficie ahorra un valioso espacio en la placa de circuito impreso
• Clasificado para altas temperaturas de hasta +150°C, lo que garantiza su durabilidad
• La baja Rds(on) disminuye la pérdida de potencia durante la conmutación
Aplicaciones
• Conmutación de cargas en la electrónica del automóvil
• Circuitos de gestión de potencia para la eficiencia energética
• Alta frecuencia que requieren una conmutación rápida
• Cargas motrices en dispositivos electrónicos de consumo
• Circuitos de alimentación que requieren soluciones compactas
¿Cuál es la tensión de drenaje-fuente máxima que puede soportar este componente?
El componente puede soportar una tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones.
¿Cómo se comporta este componente a temperaturas elevadas?
Funciona eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, ofreciendo rendimiento en entornos exigentes.
¿Puede utilizarse en circuitos alimentados por pilas?
Sí, su baja Rds(on) reduce significativamente la pérdida de potencia, por lo que es muy adecuado para dispositivos que funcionan con pilas.
¿Qué importancia tiene la clasificación de avalancha?
La clasificación de avalancha indica que el dispositivo puede absorber picos de energía, lo que aumenta su durabilidad y fiabilidad durante los transitorios.
¿Cómo puedo garantizar una instalación correcta en la placa de circuito impreso?
Es esencial respetar las especificaciones de dimensiones del encapsulado SOT-223 y aplicar una gestión térmica adecuada durante la instalación.
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