MOSFET, N-Canal Infineon BSP296NH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 826-9260
- Número do artigo Distrelec:
- 304-44-413
- Referência do fabricante:
- BSP296NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 826-9260
- Número do artigo Distrelec:
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- BSP296NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.2A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 800mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 850mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.2A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 800mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 850mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,2 A - BSP296NH6327XTSA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de montaje en superficie diseñado para conmutación y control en contextos industriales y de automoción. Funciona como un dispositivo de mejora de canal N adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de corriente moderado y capacidad de alta tensión, al tiempo que soporta un amplio rango de temperatura ambiente para entornos exigentes.
Características y ventajas:
• La potencia nominal de drenaje-fuente de 100 V permite la conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 1,2 A admite corrientes de carga modestas
• La Rds(on) de 800 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 4,5 nC permite transiciones de conmutación más rápidas
• La disipación de potencia máxima de 1,8 W gestiona la carga térmica en conjuntos compactos
• La tolerancia de puerta de ±20 V admite tensiones de accionamiento de puerta comunes
• La corriente de drenaje continua de 1,2 A admite corrientes de carga modestas
• La Rds(on) de 800 mΩ reduce las pérdidas de conducción bajo carga
• La carga de puerta típica de 4,5 nC permite transiciones de conmutación más rápidas
• La disipación de potencia máxima de 1,8 W gestiona la carga térmica en conjuntos compactos
• La tolerancia de puerta de ±20 V admite tensiones de accionamiento de puerta comunes
Aplicaciones
• Apto para módulos de control de automoción que requieren certificación AEC‐Q101
• Ideal para etapas de convertidor dc/dc en fuentes de alimentación compactas
• Se utiliza con controladores de motor de baja potencia en sistemas auxiliares
• Puede utilizarse para tareas de gestión de baterías y distribución de energía
• Útil en la regulación de modo conmutado para equipos portátiles e integrados
• Ideal para etapas de convertidor dc/dc en fuentes de alimentación compactas
• Se utiliza con controladores de motor de baja potencia en sistemas auxiliares
• Puede utilizarse para tareas de gestión de baterías y distribución de energía
• Útil en la regulación de modo conmutado para equipos portátiles e integrados
¿Qué tipo de encapsulado debo esperar para considerar la disposición de la placa de circuito impreso?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT‐223 con cuatro pines, lo que permite la conducción térmica por una sola cara y una integración sencilla en placa pasante.
¿Cómo se comporta el rendimiento térmico a temperaturas elevadas?
El dispositivo está diseñado para funcionar en un amplio rango de –55 a 150 °C, con una disipación de potencia limitada a 1,8 W para evitar sobretensión térmica durante el funcionamiento continuo.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben observarse durante el diseño?
La tensión de fuente de puerta máxima admisible es de 20 V, por lo que los controladores de puerta deben configurarse para evitar exceder este nivel para proteger el óxido de puerta.
¿Qué parámetro afecta más a la eficiencia de conmutación en aplicaciones PWM rápidas?
La carga de puerta típica de 4,5 nC influye directamente en las pérdidas de conmutación y los requisitos de energía de accionamiento durante los cambios de estado rápidos.
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