MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4688
- Referência do fabricante:
- IPN80R2K4P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 222-4688
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- IPN80R2K4P7ATMA1
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.7mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.7mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de la serie Cool MOS™ P7 Marca un nuevo hito en tecnologías de súper unión 800V y combina el mejor rendimiento de su clase con la facilidad de uso más Art, resultado de la innovación de tecnología de súper unión pionera de Infineon desde hace más de 18 años.
Validación del producto conforme Estándar JEDEC
Diodo de protección ESD integrado de pérdidas de conmutación bajas (Eoss)
Excelente comportamiento térmico
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