MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 165-5560
- Referência do fabricante:
- IRFL4315TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
805,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 5000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,322 € | 805,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-5560
- Referência do fabricante:
- IRFL4315TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 185mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12nC | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.7mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 185mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12nC | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.7mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 2,6A, disipación de potencia máxima de 2,8W - IRFL4315TRPBF
Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de potencia, ofreciendo un sólido rendimiento y una mayor fiabilidad en diversos entornos. Como componente clave en las aplicaciones de conmutación, permite un control eficaz de la entrega de potencia. Su diseño de montaje superficial lo hace idóneo para circuitos de alto rendimiento que requieren una baja carga entre la puerta y el drenaje, minimizando las pérdidas por conmutación, lo que resulta beneficioso para los usuarios de los sectores de la automatización y la electrónica.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua de 2,6 A para diversas aplicaciones
• La tensión de drenaje-fuente máxima de 150 V facilita las operaciones de alta potencia
• La baja Rds(on) de 185mΩ mejora la eficiencia energética
• Temperatura de funcionamiento de -55°C a +150°C para un rendimiento fiable
• Tensión umbral de puerta optimizada para facilitar el diseño de circuitos
• Las características de avalancha totalmente caracterizadas proporcionan una protección adicional
Aplicaciones
• Convertidores CC-CC de alta frecuencia
• Sistemas de gestión de la energía para mejorar la eficiencia
• Fuentes de alimentación conmutadas para un mayor rendimiento
¿Qué significa el bajo valor de Rds(on)?
Un Rds(on) bajo reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia general en múltiples aplicaciones.
¿Cómo afecta el amplio rango de temperaturas al uso?
El amplio rango de temperaturas de funcionamiento garantiza un rendimiento fiable en condiciones extremas, por lo que es adecuado para diversos entornos.
¿Puede utilizarse tanto en aplicaciones de alta como de baja frecuencia?
Sí, se adapta tanto a los convertidores CC-CC de alta frecuencia como a las aplicaciones que requieren conmutación de baja frecuencia.
¿Qué hay que tener en cuenta para la instalación?
Para optimizar el rendimiento durante la instalación, deben tenerse en cuenta la disposición adecuada de los circuitos y la gestión térmica.
¿Cómo influye la tensión umbral de puerta en el diseño de circuitos?
La tensión umbral de puerta permite un mejor control del comportamiento de conmutación, lo que facilita el diseño del circuito de conducción.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IRFL4315TRPBF, VDSS 150 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTF2955T1G, VDSS 60 V, ID 2.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 1.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 550 V, ID 6.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 800 V, ID 2.5 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines