MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB600N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 10 unidades)*

22,74 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informação de stock atualmente indisponível
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
10 - 102,274 €22,74 €
20 - 402,16 €21,60 €
50 - 902,072 €20,72 €
100 - 2401,978 €19,78 €
250 +1,842 €18,42 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
826-9204
Referência do fabricante:
IPB600N25N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Encapsulado

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

60mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.31mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.57mm

Anchura

9.45 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Links relacionados