MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal IRF7309TRPBF, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 826-8866
- Número do artigo Distrelec:
- 304-44-451
- Referência do fabricante:
- IRF7309TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 826-8866
- Número do artigo Distrelec:
- 304-44-451
- Referência do fabricante:
- IRF7309TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 16.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5mm | |
| Altura | 1.5mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 16.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5mm | ||
Altura 1.5mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon
Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.
Transistores MOSFET, Infineon
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