MOSFET Infineon IRF7309TRPBF, VDSS 30 V, ID 3 A, 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 168-7929
Referência do fabricante:: IRF7309TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7309TRPBF, VDSS 30 V, ID 3 A, 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 168-7929
Referência do fabricante:: IRF7309TRPBF
Fabricante:: Infineon

IRF7309TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3 A, 4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOIC
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	80 MΩ, 160 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	1,4 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	25 nC a 4,5 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	2
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon IRF7309TRPBF, VDSS 30 V, ID 3 A, 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon