MOSFET Infineon IRF7201TRPBF, VDSS 30 V, ID 7,3 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

7,3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Serie

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2,5 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

19 nC a 10 V

Ancho

4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V