MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ086P03NS3EGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines

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Código RS:
825-9134
Referência do fabricante:
BSZ086P03NS3EGATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS P

Encapsulado

TSDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

69W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.4mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

MOSFET de potencia de canal P OptiMOS™P de Infineon


Los MOSFET de potencia de canal P Infineon OptiMOS™ están diseñados con características mejoradas que aumentan el rendimiento. Ofrecen una pérdida por conmutación ultra baja, resistencia en funcionamiento, valores nominales Avalanche y certificación AEC para soluciones de automoción. Usos: dc-dc, control de motores, automoción y eMobility.

Modo de mejora

Avalancha nominal

Bajas pérdidas de potencia por conducción y conmutación

Chapado sin plomo; compatible con RoHS

Encapsulados estándar

Serie de canal P de OptiMOS™: intervalo de temperatura de -55 a +175 °C

Transistores MOSFET, Infineon


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