MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ086P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- Código RS:
- 825-9130
- Referência do fabricante:
- BSZ086P03NS3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -25, +25V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie OptiMOS P | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -25, +25V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43.2nC | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
MOSFET de la serie OptiMOS P de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 30 V, corriente de drenaje continua de 40 A - BSZ086P03NS3GATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal P diseñado para conmutación de potencia de montaje en superficie en entornos de temperatura industrial. Funciona en un rango ambiente ampliado y está diseñado para funciones de conmutación de alta corriente en las que se requiere un encapsulado compacto y de perfil bajo.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 30 V admite carriles de alimentación de baja tensión
• La corriente de drenaje continua de 40 A permite la conmutación de alta corriente
• La baja Rds(on) de 13.4 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia máxima de 69 W gestiona la carga térmica
• La carga de puerta típica de 43,2 nC equilibra la velocidad de conmutación y la demanda de accionamiento
• La tensión máxima de fuente de puerta de 25 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
• La corriente de drenaje continua de 40 A permite la conmutación de alta corriente
• La baja Rds(on) de 13.4 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• La disipación de potencia máxima de 69 W gestiona la carga térmica
• La carga de puerta típica de 43,2 nC equilibra la velocidad de conmutación y la demanda de accionamiento
• La tensión máxima de fuente de puerta de 25 V permite márgenes de accionamiento de puerta robustos
Aplicaciones
• Adecuado para convertidores reductores síncronos en fuentes de alimentación
• Ideal para etapas de control y accionamiento de motores de DC
• Se utiliza para conmutar cargas en sistemas de alimentación de servidores y telecomunicaciones
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de distribución
• Apto para módulos de potencia compactos que requieren componentes de perfil bajo
• Ideal para etapas de control y accionamiento de motores de DC
• Se utiliza para conmutar cargas en sistemas de alimentación de servidores y telecomunicaciones
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de distribución
• Apto para módulos de potencia compactos que requieren componentes de perfil bajo
¿Qué tipo de encapsulado debo esperar para el montaje de PCB?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TSDSON de 8 contactos adecuado para procesos de soldadura por reflujo y pick‐and‐place automatizados.
¿Cómo gestiona el dispositivo amplios rangos de temperatura durante el funcionamiento?
El componente está especificado para funcionar de -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en condiciones de temperatura industrial exigentes con una gestión térmica adecuada.
¿Qué polaridad de conducción de canal debe adaptar el controlador de puerta?
El dispositivo es de canal P, por lo que la lógica de accionamiento de puerta debe estar dispuesta para el funcionamiento de mejora de tipo P y la señalización pull-up/pull-down adecuada.
¿Hay ventajas de montaje o perfil que hay que tener en cuenta?
La altura del encapsulado de perfil bajo de 1,1 mm admite diseños con espacio limitado y permite un montaje denso en diseños de potencia compactos.
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