MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPD15P10PGBTMA1, VDSS 100 V, ID 15 A, Mejora, TSDSON de 3 pines
- Código RS:
- 258-7787
- Referência do fabricante:
- SPD15P10PGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
9,18 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 2490 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,836 € | 9,18 € |
| 50 - 120 | 1,634 € | 8,17 € |
| 125 - 245 | 1,544 € | 7,72 € |
| 250 - 495 | 1,432 € | 7,16 € |
| 500 + | 0,734 € | 3,67 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 258-7787
- Referência do fabricante:
- SPD15P10PGBTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TSDSON | |
| Serie | SPD15P10P | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.24Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.35V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TSDSON | ||
Serie SPD15P10P | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.24Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.35V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de potencia SIPMOS de Infineon pertenece a los MOSFET de potencia de canal P de la familia OptiMOS muy innovadores. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado y las características de mérito.
Modo de mejora
Valor nominal de avalancha
Chapado de cable sin plomo
Conformidad con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 15 A, Mejora, TSDSON de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 39.6 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ086P03NS3EGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ086P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSZ180P03NS3GATMA1, VDSS 30 V, ID 39.6 A, Mejora, TSDSON de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISZ810P06LMATMA1, VDSS 60 V, ID -19.5 A, Mejora, PG-TSDSON-8FL de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 39.5 A, P, TSDSON de 8 pines