MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 34 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 165-6701
Referência do fabricante:: IPP320N20N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 34 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 165-6701
Referência do fabricante:: IPP320N20N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	34A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	200V
	Serie	OptiMOS 3
	Encapsulado	TO-220
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	32mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	136W
	Tensión directa Vf	0.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	22nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	15.95mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.36mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 34A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V
	Serie OptiMOS 3
	Encapsulado TO-220
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 32mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 136W
	Tensión directa Vf 0.9V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 15.95mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.36mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 34 A, disipación de potencia máxima de 136 W - IPP320N20N3GXKSA1

Este MOSFET ofrece un alto rendimiento para diversas aplicaciones electrónicas. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 34 A y una tensión nominal de drenaje-fuente de 200 V, constituye una solución de alimentación eficiente. El funcionamiento en modo de mejora garantiza un rendimiento fiable en circuitos que requieren conmutación y rectificación síncrona.

Características y ventajas

• Diseño de canal N para una conversión de potencia eficaz

• La baja resistencia a la conexión reduce la pérdida de energía

• Alta tolerancia a la temperatura de funcionamiento en condiciones extremas

• Compatible con aplicaciones de conmutación de alta frecuencia

• Sin Pb y conforme a RoHS para un uso respetuoso con el medio ambiente

• Los materiales sin halógenos mejoran la seguridad y la conformidad

Aplicaciones

• Utilizado en fuentes de alimentación para automatización industrial

• Adecuado para la rectificación síncrona en convertidores CC-CC

• Aplicable en sistemas de carga de vehículos eléctricos

• Ideal para sistemas de gestión de baterías en electrónica de consumo

• Utilizado en inversores de energías renovables para una transferencia eficiente de energía

¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento?

El componente funciona eficazmente entre -55 °C y +175 °C, por lo que es apto para diversas condiciones ambientales.

¿Puede gestionar corrientes de drenaje elevadas?

Sí, admite corrientes de drenaje continuas de hasta 34 A, adecuadas para aplicaciones de alta potencia.

¿Qué ventajas ofrece la función RDS(on) baja?

La baja resistencia a la conexión reduce significativamente las pérdidas de energía durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia en aplicaciones de conmutación de alta potencia.

¿Es adecuado para aplicaciones de automoción?

Gracias a su alta temperatura y baja resistencia a la conexión, es adecuado para aplicaciones de automoción, ya que ofrece rendimiento en condiciones difíciles.

¿Cómo puedo garantizar una disipación térmica adecuada durante la instalación?

Para lograr una gestión térmica eficaz, asegúrese de que el MOSFET está montado en un disipador de calor o en una placa de circuito impreso con suficiente superficie de cobre para ayudar a disipar el calor generado durante el funcionamiento.