MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 76 A, TO-220

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Código RS:
257-5514
Referência do fabricante:
IRFB4127PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

76A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Montaje en PCB

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector

Corriente nominal alta

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicona optimizada para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz

Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio

Amplia cartera disponible

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