MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 76 A, Mejora, TO-220
- Código RS:
- 257-5514
- Referência do fabricante:
- IRFB4127PBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 100 unidades)*
314,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 700 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 100 + | 3,147 € | 314,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-5514
- Referência do fabricante:
- IRFB4127PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 76A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 76A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V, disipación de potencia máxima de 375 W - IRFB4127PBF
Este MOSFET es un transistor de canal N de alta tensión y modo de mejora diseñado para montaje en PCB en un encapsulado TO-220. Está diseñado para tareas de conmutación y control de potencia en las que se requieren un manejo de corriente y una capacidad térmica sustanciales, y funciona en un amplio rango de temperaturas industriales al tiempo que cumple las restricciones de la directiva RoHS.
Características y ventajas:
• Rds(on) de 20 mΩ que permite reducir las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua de 76 A compatible con conmutación de alta carga
• Valor nominal de drenaje-fuente de 200 V que permite aplicaciones de alta tensión
• Disipación de potencia de 375 W que mejora el espacio térmico
• Tensión directa de 1,3 V que minimiza la caída de accionamiento de puerta
• Corriente de drenaje continua de 76 A compatible con conmutación de alta carga
• Valor nominal de drenaje-fuente de 200 V que permite aplicaciones de alta tensión
• Disipación de potencia de 375 W que mejora el espacio térmico
• Tensión directa de 1,3 V que minimiza la caída de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para la conmutación de fuentes de alimentación en sistemas industriales
• Se utiliza con controladores de motor que requieren un manejo de alta corriente
• Ideal para convertidores dc-dc en carriles de alta tensión
• Se puede utilizar para la conmutación de etapa de inversor en PCB
• Se utiliza con controladores de motor que requieren un manejo de alta corriente
• Ideal para convertidores dc-dc en carriles de alta tensión
• Se puede utilizar para la conmutación de etapa de inversor en PCB
¿Qué límites de tensión de puerta deben respetarse?
La tensión de puerta a fuente no debe superar 20 V para evitar dañar el dieléctrico de puerta.
¿Qué rangos de temperatura puede soportar durante su funcionamiento?
Está especificado para funcionar entre -55 °C y 175 °C para un amplio uso industrial.
¿Es adecuado el dispositivo para montaje en superficie en placas de circuitos?
Está diseñado para montaje en PCB en un encapsulado TO-220 de orificio pasante para una fijación térmica y mecánica segura.
¿Se ajusta a las restricciones ambientales en materia de materiales?
El componente cumple la directiva RoHS, por lo que cumple las restricciones necesarias sobre sustancias peligrosas.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon IRFB4127PBF, VDSS 200 V, ID 76 A, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 25 A, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 12 A, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon IRFB4620PBF, VDSS 200 V, ID 25 A, TO-220
- MOSFET, N-Canal Infineon IRF200B211, VDSS 200 V, ID 12 A, TO-220
- MOSFET Infineon, VDSS 200 V, ID 9.1 A, TO-220 de 5 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 25 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 18 A, Mejora, TO-220 de 3 pines