MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS7534TRL7PP, VDSS 60 V, ID 240 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 820-8861
- Referência do fabricante:
- IRFS7534TRL7PP
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 820-8861
- Referência do fabricante:
- IRFS7534TRL7PP
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 240A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 290W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 200nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Altura | 4.83mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 9.65 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 240A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 290W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 200nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Altura 4.83mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 9.65 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de la serie StrongIRFET, corriente de drenaje continua máxima de 240 A, disipación de potencia máxima de 290 W - IRFS7534TRL7PP
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, ofreciendo fiabilidad y eficiencia. Mejora notablemente el rendimiento de diversos sistemas electrónicos, especialmente en aplicaciones de gestión de potencia y accionamiento de motores, y es adecuado para diversas industrias, como la automatización y la electrónica.
Características y ventajas
• La baja resistencia a la conexión minimiza las pérdidas de potencia
• La capacidad mejorada de los diodos del cuerpo aumenta la eficiencia general
• La capacidad de corriente de drenaje continua de 240 A cumple los requisitos más estrictos
• La versatilidad del umbral de tensión de puerta permite mejorar el control
• La sólida clasificación contra avalanchas aumenta la fiabilidad
Aplicaciones
• Aplicable en sistemas de accionamiento de motores con escobillas y BLDC
• Apto para circuitos alimentados por batería
• Eficaz en configuraciones de medio puente y puente completo
• Utilizado en soluciones de rectificadores síncronos
• Empleado en convertidores CC/CC y CA/CC
¿Cuál es la temperatura máxima a la que puede funcionar el componente?
El componente puede funcionar a una temperatura de unión máxima de +175 °C, lo que permite su funcionamiento en entornos difíciles sin pérdida de rendimiento.
¿Cómo gestiona el MOSFET la disipación de potencia?
Tiene una capacidad máxima de disipación de potencia de 290 W cuando se monta en configuraciones de PCB adecuadas, lo que garantiza un rendimiento constante durante el funcionamiento.
¿Qué importancia tiene la tensión nominal entre la puerta y la fuente?
La tensión nominal puerta-fuente de ±20 V especifica las tensiones admisibles aplicadas, garantizando un funcionamiento seguro en diversas aplicaciones.
¿Puede integrarse este MOSFET en los diseños de circuitos existentes?
Sí, cuenta con el embalaje estándar D2PAK-7, lo que la hace compatible con una amplia gama de diseños de placas de circuito impreso y facilita su integración en los sistemas actuales.
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