MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1411DH-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 0.52 A, Mejora, US de 6 pines
- Código RS:
- 180-7915
- Referência do fabricante:
- SI1411DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*
8,28 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 5740 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,414 € | 8,28 € |
| 200 - 480 | 0,394 € | 7,88 € |
| 500 - 980 | 0,352 € | 7,04 € |
| 1000 - 1980 | 0,253 € | 5,06 € |
| 2000 + | 0,205 € | 4,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 180-7915
- Referência do fabricante:
- SI1411DH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.52A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 2.4 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.52A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado US | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 2.4 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal P TrenchFET serie SI1411DH de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 150 V. Se utiliza en circuitos de abrazadera activa en fuentes de alimentación dc/dc.
Encapsulado SC-70 pequeño y térmicamente mejorado
Resistencia de conexión ultrabaja
Sin plomo
Libre de halógenos
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 150 V, ID 0.52 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1401EDH-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay SIA449DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 12 V, ID 4 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA462DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI1480BDH-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1.9 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS73DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 16.2 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
