MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1411DH-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 0.52 A, Mejora, US de 6 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Opções de embalagem:
Código RS:
180-7915
Referência do fabricante:
SI1411DH-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.52A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

US

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.6Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1W

Tensión directa Vf

-1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.4 mm

Longitud

2.2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de canal P TrenchFET serie SI1411DH de Vishay Siliconix tiene una tensión de drenador a fuente de 150 V. Se utiliza en circuitos de abrazadera activa en fuentes de alimentación dc/dc.

Encapsulado SC-70 pequeño y térmicamente mejorado

Resistencia de conexión ultrabaja

Sin plomo

Libre de halógenos

Links relacionados