MOSFET Vishay SI2337DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 1,75 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3123
Referência do fabricante:: SI2337DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI2337DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 1,75 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 812-3123
Referência do fabricante:: SI2337DS-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Si2337DS, P-Channel 80V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,75 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	303 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	11 nC a 10 V
Ancho	1.4mm
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	3.04mm
Altura	1.02mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-50 °C

MOSFET Vishay SI2337DS-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 1,75 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor