MOSFET, Canal P-Canal Vishay SI2301HDS-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -3.1 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 735-212
- Referência do fabricante:
- SI2301HDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 735-212
- Referência do fabricante:
- SI2301HDS-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -3.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -20V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.142Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -3.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -20V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.142Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
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