MOSFET IXYS IXFH15N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 15 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 801-1389
Número do artigo Distrelec:: 302-53-309
Referência do fabricante:: IXFH15N100Q3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH15N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 15 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 801-1389
Número do artigo Distrelec:: 302-53-309
Referência do fabricante:: IXFH15N100Q3
Fabricante:: IXYS

IXFT15N100Q3, IXFH15N100Q3, HiperFET, Power MOSFETs, Q3-Class, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	1.000 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,05 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	6.5V
Disipación de Potencia Máxima	690 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Ancho	5.3mm
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	64 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	16.26mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	16.26mm

MOSFET IXYS IXFH15N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 15 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3