MOSFET IXYS, Tipo N, Tipo N-Canal IXFH15N100Q3, VDSS 1000 V, ID 15 A, TO-247, Mejora de 3 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 801-1389
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-309
- Referência do fabricante:
- IXFH15N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
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- Código RS:
- 801-1389
- Número do artigo Distrelec:
- 302-53-309
- Referência do fabricante:
- IXFH15N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1000V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.05Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 690W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 64nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 16.26mm | |
| Anchura | 5.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 16.26mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1000V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Tipo de montaje Orificio pasante, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.05Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 690W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 64nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 16.26mm | ||
Anchura 5.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 16.26mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFETTM Q3
La clase IXYS Q3 de MOSFET de potencia HiperFETTM es adecuada para aplicaciones de modo resonante y de conmutación rígida, y ofrece una carga de puerta baja con una robustez excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo intrínseco rápido y están disponibles en una variedad de encapsulados estándar del sector, incluidos tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, control de temperatura e iluminación.
Diodo rectificador intrínseco rápido
RDS (encendido) y QG (carga de puerta) bajos
Baja resistencia intrínseca de puerta
Encapsulados estándar del sector
Inductancia de encapsulado baja
Alta densidad de potencia
Transistores MOSFET, IXYS
Una amplia gama de dispositivos MOSFET de potencia discreta avanzados de IXYS
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